半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括n型和p型半导体层、势垒层以及阱层。所述n型和p型半导体层以及势垒层包含氮化物半导体。势垒层被设置在n型半导体层与p型半导体层之间。阱层被设置在势垒层之间，阱层的带隙能量小于势垒层的带隙能量，阱层包含InGaN。势垒层中的至少一个包括第一层、第二层以及第三层。第二层被设置为比第一层更靠近p型半导体层。第三层被设置为比第二层更靠近p型半导体层。第二层包含AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)。第二层的带隙能量大于第一和第三层的带隙能量。第一和第二层的总厚度不大于第三层的厚度。

主权项

一种半导体发光器件，包括：n型半导体层，其包含氮化物半导体；p型半导体层，其包含氮化物半导体；发光层，其包括：多个势垒层，其被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间，所述势垒层包含氮化物半导体；以及阱层，其被设置在所述多个势垒层之间，所述阱层的带隙能量小于所述势垒层的带隙能量，所述阱层包含InGaN，所述多个势垒层中的至少一个包括：第一层；第二层，其被设置为比所述第一层更靠近所述p型半导体层；以及第三层，其被设置为比所述第二层更靠近所述p型半导体层，所述第二层包含AlxGa1‑xN(0＜x≤0.05)，其中x为Al在III族元素中的原子比，所述第二层的带隙能量大于所述第一层的带隙能量和所述第三层的带隙能量，所述第一层和所述第二层的总厚度不大于所述第三层的厚度。