发明名称 |
一种深槽和深注入型超结器件 |
摘要 |
本发明公开了一种具有降低表面电场技术(Reduced Surface Field,RESURF)作用的半导体器件,该器件具有较深的沟槽和较深的注入区,同时,本发明还公开了一种制作该器件的方法。该RESURF器件包含多个交替的第一区和第二区,所述第一区和第二区分别具有第一导电类型和第二导电类型,其中,每个第二区包含一个形成在第二区沟槽中的注入区,该器件可保证在较高耐压值时具有较低的导通电阻,同时易于制作。 |
申请公布号 |
CN102169902A |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
申请号 |
CN201110060575.9 |
申请日期 |
2011.03.14 |
申请人 |
成都芯源系统有限公司 |
发明人 |
李铁生;邢正人;肖德明 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 |
代理人 |
徐宏;詹永斌 |
主权项 |
一种功率器件,包括:衬底;形成在衬底上的多个具有第一导电类型的第一区;以及形成在衬底上的多个具有第二导电类型的第二区,所述第二区与所述第一区交错,每一个所述第二区包含:沟槽区;注入区,注入于所述衬底和所述沟槽区之间;导电柱,形成于沟槽区内;以及绝缘层,用于将导电柱同注入区以及邻近第二区的第一区隔开。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新西区出口加工区西区科新路8号 |