一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管

摘要

一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P+体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上，引入由N型空穴势垒层和N-漂移区形成的JFET效应削弱结构，N型空穴势垒层所形成的扩充电流路径结构。N型空穴势垒层能够增大器件靠近发射极一侧的电导调制效应，减小JFET效应，并增加电子电流的流经面积，减小通态压降；槽型空穴旁路结构能够提高闩锁电流密度，加速空穴抽取，从而提高关断速度；且P+体区增大耗尽区面积，提高了击穿电压；槽型金属化发射极还能进一步减小器件的电阻，降低通态压降。

主权项

一种增强型的平面绝缘栅双极型晶体管，包括位于P型集电区(2)背面的金属化集电极(1)、P型集电区(2)、位于P型集电区(2)正面的N‑漂移区(3)，还包括金属化发射极(10)、位于N‑漂移区(3)顶部且与金属化发射极(10)接触的N+型源区(7)、N‑漂移区(3)中包围N+型源区(7)的P型基区(6)、N‑漂移区(3)中包围P型基区(6)的N型空穴势垒层(5)；相邻两个元胞的N型空穴势垒层5之间不相连；其特征在于：所述金属化发射极(10)为槽型金属化发射极，它的槽型部分向下穿过N+型源区(7)并延伸入P型基区(6)；在金属化发射极(10)的槽型部分下方还具有一个与金属化发射极(10)的槽型部分相连的的P+体区(4)，所述P+体区(4)穿过N型空穴势垒层(5)与N‑漂移区(3)相连。