| 发明名称 | 直拉硅片的内吸杂工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种直拉硅片的内吸杂工艺，包括：(1)在氮气氛下，将直拉硅片以50～100℃/秒的速率升温至1200～1250℃，维持30～150秒，然后以5～50℃/秒的速率冷却至800～1000℃，接着自然冷却；(2)将经步骤(1)处理后的直拉硅片在氩气氛下于800～900℃退火8～16小时。本发明仅包含两步热处理工艺，所需温度和时间比现有工艺的要低，热预算显著降低；另外体微缺陷的浓度和洁净区宽度可以很方便地通过第一步快速热处理的温度、时间和冷却速率得到控制。 | ||
| 申请公布号 | CN102168314A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110070161.4 | 申请日期 | 2011.03.23 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 马向阳;徐泽;王彪;杨德仁 |
| 分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 褚超孚 |
| 主权项 | 一种直拉硅片的内吸杂工艺，包括：(1)在氮气氛下，将直拉硅片以50～100℃/秒的速率升温至1200～1250℃，维持30～150秒，然后以5～50℃/秒的速率冷却至800～1000℃，接着自然冷却；(2)将经步骤(1)处理后的直拉硅片在氩气氛下于800～900℃退火8～16小时。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||