发明名称 回转反应炉热裂解氟硅酸钠制备四氟化硅的方法
摘要 本发明提供一种回转反应炉热裂解氟硅酸钠制备四氟化硅的工艺,将氟硅酸钠在200℃~300℃下在煅烧炉内干燥热处理,除去其中的水份,煅烧炉内维持负压,负压值控制在10~30mmH2O;将干燥后的氟硅酸钠送入回转反应炉,在500~900℃(物料温度)下热裂解1~2个小时,热裂解得到四氟化硅和氟化钠。产生的四氟化硅气体经过除尘、冷却、干燥、压缩、收集高纯的四氟化硅气体。本发明工艺过程反应物单一,无废气、废水、废渣排放,属于环保综合利用项目。
申请公布号 CN101698482B 申请公布日期 2011.08.31
申请号 CN200910024293.6 申请日期 2009.10.13
申请人 西安三瑞实业有限公司;台湾聚合化学品股份有限公司 发明人 何建祥;余福元;魏超;张卫鑫;张纪中
分类号 C01B33/107(2006.01)I 主分类号 C01B33/107(2006.01)I
代理机构 西安文盛专利代理有限公司 61100 代理人 佘文英
主权项 一种回转反应炉热裂解氟硅酸钠制备四氟化硅的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将氟硅酸钠在200℃~300℃下在回转煅烧炉内干燥热处理,除去其中的水份和杂质,煅烧炉内维持负压,负压值控制在10~30mm H2O;(2)将惰性助剂与干燥后的氟硅酸钠按1~8∶1质量比混合均匀送入回转反应炉,物料温度在500~900℃下反应1~2个小时,热裂解得到四氟化硅和氟化钠,回转反应炉内维持负压,负压值控制在5~20mm H2O,其中惰性助剂是氟化盐、二氧化硅、氧化铝;(3)产生的四氟化硅气体经过除尘、冷却、干燥、压缩、收集得高纯的四氟化硅气体。
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