发明名称 |
回转反应炉热裂解氟硅酸钠制备四氟化硅的方法 |
摘要 |
本发明提供一种回转反应炉热裂解氟硅酸钠制备四氟化硅的工艺,将氟硅酸钠在200℃~300℃下在煅烧炉内干燥热处理,除去其中的水份,煅烧炉内维持负压,负压值控制在10~30mmH2O;将干燥后的氟硅酸钠送入回转反应炉,在500~900℃(物料温度)下热裂解1~2个小时,热裂解得到四氟化硅和氟化钠。产生的四氟化硅气体经过除尘、冷却、干燥、压缩、收集高纯的四氟化硅气体。本发明工艺过程反应物单一,无废气、废水、废渣排放,属于环保综合利用项目。 |
申请公布号 |
CN101698482B |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
申请号 |
CN200910024293.6 |
申请日期 |
2009.10.13 |
申请人 |
西安三瑞实业有限公司;台湾聚合化学品股份有限公司 |
发明人 |
何建祥;余福元;魏超;张卫鑫;张纪中 |
分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 |
西安文盛专利代理有限公司 61100 |
代理人 |
佘文英 |
主权项 |
一种回转反应炉热裂解氟硅酸钠制备四氟化硅的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将氟硅酸钠在200℃~300℃下在回转煅烧炉内干燥热处理,除去其中的水份和杂质,煅烧炉内维持负压,负压值控制在10~30mm H2O;(2)将惰性助剂与干燥后的氟硅酸钠按1~8∶1质量比混合均匀送入回转反应炉,物料温度在500~900℃下反应1~2个小时,热裂解得到四氟化硅和氟化钠,回转反应炉内维持负压,负压值控制在5~20mm H2O,其中惰性助剂是氟化盐、二氧化硅、氧化铝;(3)产生的四氟化硅气体经过除尘、冷却、干燥、压缩、收集得高纯的四氟化硅气体。 |
地址 |
710075 陕西省西安市高新区高新一路16号创业大厦C座605室 |