含无机/有机异质结纳米线的制备方法

摘要

本发明提供了一种制备含无机/有机异质结纳米线的方法，该方法包括以下步骤：a.首先配制无机化合物半导体的电化学沉积液和有机半导体电泳沉积液；b.以镀有金属膜的多孔模板为工作电极进行电化学沉积，得到部分填充有无机半导体纳米线的模板；c.将填充有无机半导体纳米线的模板洗净并干燥，再将该模板置于有机半导体电泳沉积液中，在5V/cm-100V/cm电场强度作用下，向该模板的孔中电泳沉积有机半导体，得到含无机/有机异质结纳米线。采用本发明的制备方法，扩展了有机纳米线选择范围。同时该方法操作简单，易于同现有的半导体加工工艺相结合，实现器件的规模化制备。

主权项

一种制备含无机/有机异质结纳米线的方法，该方法包括以下步骤：a.首先配制无机化合物半导体电化学沉积液和有机半导体电泳沉积液，所述的有机半导体电泳沉积液中含有1)未经修饰的小分子有机半导体化合物、使该化合物质子化的酸和能够溶解上述两种化合物的溶剂，或者2)经修饰的小分子有机半导体化合物和能够溶解该化合物的溶剂，或者3)高分子有机半导体化合物和能够溶解或分散该化合物的溶剂；b.以镀有金属膜的多孔模板为工作电极，在无机半导体电化学沉积液中进行电化学沉积，得到部分填充有无机半导体纳米线的模板；c.将步骤b得到的部分填充有无机半导体纳米线的模板洗净并干燥，再将该模板置于有机半导体电泳沉积液中，在5V/cm‑100V/cm电场强度作用下，向该模板的孔中电泳沉积有机半导体化合物，得到含无机/有机异质结纳米线，其中步骤c包括以下步骤：d.将步骤b得到的部分填充有无机半导体纳米线的模板洗净并干燥，再将干燥后的模板置于第一种有机半导体电泳沉积液中，在5V/cm‑100V/cm电场强度作用下，向该模板沉积第一段有机半导体化合物；e.再将该模板置于另外一种有机分子的电泳沉积液中，在5V/cm‑100V/cm电场强度作用下，沉积第二种有机纳米线片段；和f.重复步骤e，得到含无机/有机异质结纳米线。