| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光元件，包括：半导体层积体，该半导体层积体按顺序包括第一导电型层、发光层和第二导电型层；形成在第一导电型层上且包括氧化物的透明电极；以及形成在第一导电型层与透明电极之间的辅助电极，该辅助电极与该透明电极相比具有更高的针对从发光层发射的光的反射率、更大的与第一导电型层之间的接触电阻、以及更小的薄层电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102169942A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110046839.5 | 申请日期 | 2011.02.24 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 神谷真央;长谷川恭孝 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 陈炜;李德山 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，包括：半导体层积体，所述半导体层积体按顺序包括第一导电型层、发光层和第二导电型层；透明电极，所述透明电极形成在所述第一导电型层上，且包括氧化物；以及辅助电极，所述辅助电极形成在所述第一导电型层与所述透明电极之间，所述辅助电极与所述透明电极相比具有更高的针对从所述发光层发射的光的反射率、更大的与所述第一导电型层之间的接触电阻、以及更小的薄层电阻。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||