具有腔体的压力传感器以及其制造方法

摘要

通过将两个晶片(1a、14)相结合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔也可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。

主权项

一种制造压力传感器的方法，其特征为包含以下步骤：提供其上包含集成电路(2)的第一晶片(1a)；提供第二晶片(14)；以及将上述第二晶片(14)或者由上述第二晶片制备的芯片装配在上述第一晶片(1a)上，从而在上述第一和第二晶片(1a，14)之间形成空腔(18)；上述方法的特征为以下步骤：在将上述第一晶片和第二晶片(1a，14)接合后对其间的缝隙(37)施加密封层(21)，从而封闭上述缝隙。