用于发光二极管的芯片塑形的光电化学蚀刻

摘要

执行光电化学(PEC)蚀刻以用于由III-V半导体材料构成的装置的芯片塑形，以便提取捕集于所述III-V半导体材料中的发射成引导模式的光。所述芯片塑形涉及在所述PEC蚀刻期间使入射光的角度变化以控制所述III-V半导体材料的所得侧壁的角度。所述侧壁可有斜坡也可垂直，以便将所述引导模式散射出所述III-V半导体材料，而非将所述引导模式反射回到所述III-V半导体材料中。除对所述芯片进行塑形以便提取发射成引导模式的光以外，所述芯片可经塑形以充当透镜，以聚焦其输出光，或以特定方式导引其输出光。

主权项

一种用于制作半导体装置的方法，其包含：执行光电化学(PEC)蚀刻以用于由III‑V半导体材料构成的装置的芯片塑形，以便提取捕集于所述III‑V半导体材料中的发射成引导模式的光。