| 发明名称 | 用于检测MOS器件晶向相关性的可靠性测试结构及方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于检测MOS器件晶向相关性的可靠性测试结构及方法，该结构包括：两个MOS器件，所述两个MOS器件的源极、漏极分别连接，形成两个器件共同的源极和共同的漏极，所述两个MOS器件具有不同的晶向，且沟道宽度为W、沟道长度为L，W、L的值由两个MOS器件的栅极分别与共同的源漏区域的相对位置决定。本发明节省了可靠性测试结构的面积、缩短了可靠性测试的时间，并提高了可靠性测试的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102169869A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110034388.3 | 申请日期 | 2011.02.01 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 何燕冬;张钢刚;刘晓彦;张兴 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王加岭;张庆敏 |
| 主权项 | 一种用于检测MOS器件晶向相关性的可靠性测试结构，其特征在于，包括：具有不同的晶向的两个MOS器件，所述两个MOS器件的源极、漏极分别连接，形成两个器件共同的源极和共同的漏极，所述结构的沟道宽度为W、沟道长度为L，W、L的值由两个MOS器件的栅极分别与共同的源漏区域的相对位置决定。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||