| 发明名称 | LDMOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LDMOS器件，包括第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底中形成的相互邻接的第一导电类型的体区和第二导电类型的漂移区；在体区中形成的第二导电类型的源极；在漂移区中形成的第二导电类型的漏极；位于源极和漏极之间并且与源极和漂移区邻接的栅介质层；以及位于栅介质层上方的栅极，其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反，其特征在于，所述LDMOS器件还包括电容区域，所述电容区域位于所述源极和漏极之间的漂移区中，包括掺杂多晶硅区域以及将多晶硅区域与漂移区隔开的氧化物层。该LDMOS器件可以在提高击穿电电压的同时获得较小的导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102169903A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110077379.2 | 申请日期 | 2011.03.22 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 张磊;向泱 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种LDMOS器件，包括第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底中形成的相互邻接的第一导电类型的体区和第二导电类型的漂移区；在体区中形成的第二导电类型的源极；在漂移区中形成的第二导电类型的漏极；位于源极和漏极之间并且与源极和漂移区邻接的栅介质层；以及位于栅介质层上方的栅极，其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反，其特征在于，所述LDMOS器件还包括电容区域，所述电容区域位于所述源极和漏极之间的漂移区中，包括掺杂多晶硅区域以及将多晶硅区域与漂移区隔开的氧化物层。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区科新路8号 | ||