| 发明名称 | TFT基板及反射型TFT基板以及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种TFT基板及反射型TFT基板以及其制造方法，其能够长时期稳定地工作，并能够防止相互干扰，且通过消减制造工序的工序数，能够大幅地降低制造成本。TFT基板(1)具备玻璃基板(10)；上表面被栅极绝缘膜(30)覆盖，且侧面被层间绝缘膜(50)覆盖而绝缘的栅电极(23)及栅极配线(24)；在栅电极(23)上的栅极绝缘膜(30)上形成的n型氧化物半导体层(40)；在n型氧化物半导体层(40)上，由沟道部(44)隔开而形成的氧化物透明导电体层(60)；保护沟道部(44)的沟道保护层(500)。 | ||
| 申请公布号 | CN101416320B | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN200780012062.2 | 申请日期 | 2007.01.16 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;矢野公规;田中信夫 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种TFT基板，其特征在于，具备：基板；形成在该基板的上方，并且上表面被栅极绝缘膜覆盖，且侧面被层间绝缘膜覆盖而绝缘的栅电极及栅极配线；在所述栅电极的上方，且在所述栅极绝缘膜的上方形成的氧化物层；在所述氧化物层的上方，由沟道部隔开而形成的导电体层；形成在所述沟道部的上方，保护所述沟道部的沟道保护层，所述氧化物层是n型氧化物半导体层。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||