| 摘要 |
<p>Es wird ein wärmebehandelbares Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem auf einem transparenten, dielektrischen Substrat (S0) und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben, welches vom Substrat (S0) aufwärts betrachtet eine Grundschichtanordnung (GA) mit einer dielektrischen Grundschicht (GAG) aus einem Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung, zur Verminderung der Diffusionvorgängen aus dem Substrat (S0) umfasst. Darüber liegt eine Funktionsschichtanordnung (UFA) mit einer metallischen Funktionsschicht (UFAF) und einer Blockerschicht (UFAB) aus einem Metall, einer Metallmischung oder Metalllegierung oder aus einem Oxid, Nitrid oder Oxinitrid davon. Abgeschlossen wird das Schichtsystem durch eine Deckschichtanordnung (DA) mit einer ersten dielektrischen Deckschicht (DA1), welche ein unter Reaktivgasatmosphäre abgeschiedenes Oxid oder Oxinitrid eines Zink-Stannats enthält, und einer zweiten dielektrischen, hoch brechenden und ein Oxid, Nitrid oder Oxinitrid von Silizium enthaltenden Deckschicht (DA2).</p> |
