Volumenakustikresonatorstrukturen enthaltend eine Einzelmaterialakustikkopplungsschicht, die eine inhomogene akustische Eigenschaft aufweist

摘要

Gemäß einer repräsentativen Ausführungsform weist eine BAW-Resonatorstruktur auf: einen ersten BAW-Resonator enthaltend eine erste untere Elektrode, eine erste obere Elektrode und eine erste piezoelektrische Schicht, welche zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode angeordnet ist; und einen zweiten BAW-Resonator enthaltend eine zweite untere Elektrode, eine zweite obere Elektrode und eine zweite piezoelektrische Schicht, welche zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode angeordnet ist. Die BAW-Resonatorstruktur weist auch eine Einzelmaterialakustikkopplungsschicht angeordnet zwischen dem ersten und dem zweiten BAW-Resonator, auf. Die Einzelmaterialakustikkopplungsschicht weist eine inhomogene akustische Eigenschaft über eine Dicke der Einzelmaterialakustikkopplungsschicht auf.