发明名称 |
红外探成像装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种红外探成像装置,包括:荧光屏;硅衬底,所述硅衬底与荧光屏之间施加有第一固定电压;设置在硅衬底上的微尖端,用于在所述第一固定电压产生的电场作用下发射电子对荧光屏进行轰击;具有不同热膨胀系数的双材料梁,所述双材料梁与所述微尖端连接,并且与所述硅衬底之间施加有第二固定电压,以在红外辐射导致所述双材料梁产生弯曲时,施加在微尖端的电场强度随之改变,微尖端场发射电子数随电场强度的变化发生改变,从而改变荧光屏的亮度来产生图像变化。本实用新型具有图像处理损耗低、成本低以及便携性好的优点。 |
申请公布号 |
CN201946563U |
申请公布日期 |
2011.08.24 |
申请号 |
CN201120046894.X |
申请日期 |
2011.02.23 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
董立军 |
分类号 |
H01J31/49(2006.01)I;H01J29/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01J31/49(2006.01)I |
代理机构 |
北京市立方律师事务所 11330 |
代理人 |
郑瑜生 |
主权项 |
一种红外探成像装置,其特征在于,所述红外探成像装置包括:荧光屏;硅衬底,所述硅衬底与荧光屏之间施加有第一固定电压;设置在硅衬底上的微尖端,用于在所述第一固定电压产生的电场作用下发射电子对荧光屏进行轰击;具有不同热膨胀系数的双材料梁,所述双材料梁与所述微尖端连接,并且与所述硅衬底之间施加有第二固定电压,以在红外辐射导致所述双材料梁产生弯曲时,施加在微尖端的电场强度随之改变,微尖端场发射电子数随电场强度的变化发生改变,从而改变荧光屏的亮度来产生图像变化。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |