| 发明名称 | 半导体制造铝金属线制程 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体制造铝金属线制程，包括以下步骤：淀积铝金属薄膜；刻蚀所述铝金属薄膜；APCVD淀积同所述金属铝直接接触的IMD；PECVD淀积IMD。本发明的半导体制造铝金属线制程，能减少铝金属线制程中的等离子体损伤，提高产品良率。 | ||
| 申请公布号 | CN101740467B | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN200810043983.1 | 申请日期 | 2008.11.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 谭颖;陈广龙 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
| 主权项 | 一种半导体制造铝金属线制程，其特征在于，包括以下步骤：步骤一.淀积铝金属薄膜；步骤二.刻蚀所述铝金属薄膜；步骤三.APCVD淀积同所述金属铝直接接触的IMD；步骤四.在APCVD淀积的同所述金属铝直接接触的IMD之上，PECVD淀积IMD；步骤五.IMD通孔等后续工艺。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||