| 发明名称 | 双向硅控整流器静电防护元件 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种双向硅控整流器静电防护元件，包含：一个基体；位于该基体内的具有第一传导型态的第一阱区，此阱区为浮接；位于该第一阱区内的具有第二传导型态的第二与第三阱区，此第二与第三阱区彼此分离；位于该第二阱区内的具有第一传导型态的第一高浓度掺杂区和具有第二传导型态的第二高浓度掺杂区；以及位于该第三阱区内的具有第一传导型态的第三高浓度掺杂区和具有第二传导型态的第四高浓度掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN101777554B | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN200910002916.X | 申请日期 | 2009.01.12 |
| 申请人 | 立锜科技股份有限公司 | 发明人 | 黄志丰 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种双向硅控整流器静电防护元件，其特征在于，包含：一个基体；位于该基体内的具有第一传导型态的第一阱区，此阱区为浮接；位于该第一阱区内的具有第二传导型态的第二与第三阱区，此第二与第三阱区彼此分离；位于该第二阱区内的具有第一传导型态的第一高浓度掺杂区和具有第二传导型态的第二高浓度掺杂区；以及位于该第三阱区内的具有第一传导型态的第三高浓度掺杂区和具有第二传导型态的第四高浓度掺杂区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县竹北市 | ||