Kantenemittierender Halbleiterlaser

摘要

Kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (1), der einen Wellenleiterbereich (2) aufweist, wobei – der Wellenleiterbereich (2) eine untere Mantelschicht (3a), eine untere Wer Erzeugung von Laserstrahlung, eine obere Wellenleiterschicht (4b) und eine obere Mantelschicht (3b) aufweist, – der Wellenleiterbereich (2) mindestens einen strukturierten Bereich (6) zur Modenselektion aufweist, in dem eine laterale Grundmode der Laserstrahlung geringere Verluste als die Strahlung höherer Lasermoden erfährt, – der mindestens eine strukturierte Bereich (6) mindestens einen Graben (7) umfasst, der sich von einer Oberseite des Halbleiterkörpers (1) in die obere Mantelschicht (3b) hinein erstreckt, – der mindestens eine Graben (7) derart tief ist, dass unterhalb der tiefsten Stelle des Grabens (7) nicht mehr als 300 nm der oberen Mantelschicht (3b) verbleiben, und – der mindestens eine Graben (7) eine variierende Tiefe aufweist, wobei die Tiefe von einem Randbereich zu einem zentralen Bereich des...