用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统

摘要

本发明涉及等离子蚀刻设备所具备的气体注入系统，尤其是涉及一种用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统，包括从隔室上部供给反应气体的上部气体注入器和从隔室侧面供给调节气体的侧部气体注入器或从晶圆下侧向上喷射调节气体的背面气体注入器，侧部气体注入器或背面气体注入器以放射状形成多个喷射口的同时，将喷射口邻接于边缘部而设置，使调节气体能够近距离喷射到晶圆的边缘部，从而能够容易地控制边缘部的蚀刻率或CD(critical dimension)均匀度或轮廓，以提高晶圆整体的蚀刻均匀度，最小化工程不良，还能够显著提高边缘部的芯片成品率。

主权项

一种用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统，其特征在于，包括：上部气体注入器，从隔室上部供给反应气体；以及侧部气体注入器，放射状地形成多个喷射口，从而沿着上述隔室的内周面从多个位置同时喷射调节气体，在上述喷射口的端部上分别连接设置有导管，上述导管使上述调节气体近距离喷射到加载在上述隔室内侧的晶圆的边缘部。