发明名称 | 光电转换器件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种光电转换器件包括位于第一电极与第二电极之间的一个或多个单元电池,其中半导体结通过按顺序堆叠以下层来形成:一种导电性类型的第一杂质半导体层;包含NH基或NH2基的本征非单晶半导体层;以及导电性类型与第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。在光入射侧上的单元电池的非单晶半导体层中,通过二次离子质谱法测得的氮浓度为5×1018/cm3或更高以及5×1020/cm3或更低,且通过二次离子质谱法测得的氧和碳的浓度低于5×1018/cm3。 | ||
申请公布号 | CN102165600A | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
申请号 | CN200980138104.6 | 申请日期 | 2009.09.17 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 宫入秀和;广桥拓也;下村明久 |
分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖 |
主权项 | 一种光电转换器件,包括:位于第一电极与第二电极之间的单元电池,所述单元电池包括按顺序堆叠从而形成半导体结的一种导电性类型的第一杂质半导体层、非单晶半导体层以及导电性类型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层,其中所述非单晶半导体层包含NH基。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |