在冶金级Si晶片上通过使用CVD外延Si膜制造的太阳能电池

摘要

本发明的一种实施方式提供一种用于制造太阳能电池的方法。所述方法包括：熔化冶金级(MG)Si原料，放低单晶Si籽晶以接触熔化的MG-Si的表面，从所述熔化的MG-Si中缓慢拉出单晶Si锭，将Si锭加工成单晶Si晶片以形成用于后续外延生长的MG-Si衬底，沥出所述MG-Si衬底中的残余金属杂质，在所述MG-Si衬底上外延生长掺杂有硼的单晶Si薄膜层，将磷掺杂入所述单晶Si薄膜以形成发射层，在所述单晶Si薄膜顶部上沉积抗反射层，以及形成前电接触和背电接触。

主权项

一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：熔化冶金级(MG)Si原料；放低单晶Si籽晶以接触熔化的MG‑Si的表面；从所述熔化的MG‑Si中缓慢拉出单晶Si锭；将Si锭加工成晶片以形成用于后续外延生长的MG‑Si衬底；沥出所述MG‑Si衬底中的残余金属杂质；在所述MG‑Si衬底上外延生长掺杂有硼的单晶Si薄膜层；将磷掺杂入所述单晶Si薄膜以形成发射层；在所述单晶Si薄膜顶部上沉积抗反射层；以及形成前电接触和背电接触。