电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备

摘要

一种电子照相感光构件，其具有表面层，所述表面层以基于所述表面层中的全部固成分为小于0.6质量％的量包括含硅化合物，其中所述表面层中的含硅化合物具有的硅氧烷部位的量基于所述表面层中的全部固成分为0.01质量％以上，以及其表面具有特定凹陷部。还公开具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

主权项

1.一种电子照相感光构件，其包括支承体和在所述支承体上设置的感光层，其中：所述电子照相感光构件的表面层以基于所述表面层中的全部固成分为小于0.6质量％的量包括含硅化合物；所述表面层中的所述含硅化合物具有的硅氧烷部位的量基于所述表面层中的全部固成分为0.01质量％以上；在所述电子照相感光构件的表面上，以每单位面积(100μm×100μm)为50个以上至70,000个以下的数量形成相互独立的凹陷部，所述凹陷部为各自具有深度(Rdv)与长轴径(Rpc)的比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下和具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下的凹陷部；所述表面层在其最外表面处基于此处构成元素具有硅元素的存在比例为0.6质量％以上，所述存在比例通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；在所述表面层中距离其最外表面0.2μm的内部的硅元素与构成元素的存在比例[A(质量％)]与在其最外表面处的硅元素与构成元素的存在比例[B(质量％)]的比(A/B)为大于0.0至小于0.3，所述存在比例[A(质量％)]和存在比例[B(质量％)]通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；和所述含硅化合物为具有由下式(1)表示的结构和由下式(2)或下式(3)表示的重复结构单元的聚合物：其中R¹和R²各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基；m表示在圆括号中各自所示的重复结构单元数目的平均值，并且在1至500的范围内；和其中X表示单键、-O-、-S-或者取代或未取代的烷叉基；R³至R¹⁰各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基；或者其中X和Y各自表示单键、-O-、-S-或者取代或未取代的烷叉基；R¹¹至R¹⁸各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基。