0-100Pa单片硅基SOI高温低漂移微压传感器及其加工方法

摘要

本发明为0～100Pa单片硅基SOI超低微压传感器。其具有较高的灵敏度和线性度，耐高温、工艺简单，工艺一致性好，生产成本低、适宜于大规模生产，为此，本发明还提供了传感器的加工方法。其芯片包括一个N型或P型硅衬底(1)，在硅衬底的两面覆盖有绝缘层(2)，绝缘层(2)表面淀积多晶硅层(3)；在多晶硅层表面为二氧化硅层(4)；二氧化硅层(4)表面为多晶硅薄膜层；多晶硅薄膜层生成多晶硅力敏电阻(5)，掺浓硼的多晶硅内引线(6)与电阻(5)连接；在多晶硅内引线(6)表面覆盖铝引线(7)；芯片背面具有方形开口(10)；取单晶硅作衬底(1)，然后在衬底通过光刻、淀积、离子束机注入、退火处理、通干氧-湿氧-干氧、光刻和TMAH湿法腐蚀或RIE干法刻蚀技术、光刻、浓硼扩散、正面蒸镀铝膜、引出焊脚、湿法腐蚀等工艺加工。

主权项

0‑100pa单片硅基SOI高温低漂移微压传感器,其特征在于：其芯片包括一个N型或P型硅衬底(1)，在硅衬底的两面覆盖有绝缘层(2)，正面绝缘层是采用二氧化硅和氮化硅组成的复合膜；绝缘层(2)表面淀积2微米的多晶硅层（3）；在多晶硅层表面生长200纳米的二氧化硅层（4）；再在二氧化硅层(4)表面淀积600纳米多晶硅薄膜层；多晶硅薄膜层生成有四个SOI多晶硅力敏电阻(5)，掺浓硼的多晶硅内引线(6)与电阻(5)连接；在多晶硅内引线(6)表面覆盖铝引线(7)；SOI多晶硅力敏电阻(5)制作在中心梁(8)和边梁(9)内；芯片背面具有方形开口(10)，开口内制作有两个矩形背岛(11)，或一个矩形背岛，或无背岛的平膜；在背岛和边框之间为二氧化硅/氮化硅/多晶硅复合弹性膜(12)。