| 发明名称 | 光学半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光学半导体装置，其通过如下制造：在光学半导体元件安装衬底上布置包含封装树脂层和波长转换层的光学半导体元件封装用片材，使得所述封装树脂层面对所述光学半导体元件安装衬底，其中所述封装树脂层能够包埋光学半导体元件，所述波长转换层含有光波长转换粒子且直接或间接叠压在所述封装树脂层上；然后进行压缩成形。其中，所述波长转换层存在于其中包埋有所述光学半导体元件的成形体的上部之上，但不存在于所述成形体的侧面之上。 | ||
| 申请公布号 | CN102163683A | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN201110035808.X | 申请日期 | 2011.02.01 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 近藤隆;赤泽光治;尾崎孝志 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 一种光学半导体装置，其通过如下制造：在光学半导体元件安装衬底上布置包含封装树脂层和波长转换层的光学半导体元件封装用片材，使得所述封装树脂层面对所述衬底，其中所述封装树脂层能够包埋光学半导体元件，所述波长转换层含有光波长转换粒子且直接或间接叠压在所述封装树脂层上；然后进行压缩成形，其中所述波长转换层存在于其中包埋有所述光学半导体元件的成形体的上部之上，但不存在于所述成形体的侧面之上。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||