半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可以防止因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的半导体器件的可靠性恶化的技术。在玻璃环氧树脂基板(1)的表面及背面分别形成有构成电路图案的布线层(7)，并在以露出布线层(7)的一部分的方式形成覆盖布线层(7)的阻焊膜(8)之后，在为了脱湿而进行的100℃以上150℃以下的热处理(第一热处理)之前，对布线基板(1A)进行160℃以上230℃以下的热处理(第二热处理)，以使构成布线基板(1A)的材料中所具有的有机溶剂气化后排出。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：工序a，准备布线基板，所述布线基板具有树脂基材、分别形成于所述基材的表面和背面并构成电路图案的布线层、以及露出所述布线层的一部分来覆盖所述布线层的绝缘膜；工序b，经由薄膜状粘结层将半导体芯片贴在所述布线基板的第一面一侧上；工序c，通过导电性构件将多个电极垫和多条焊接引线电连接，所述多个电极垫配置在所述半导体芯片的表面上，所述多条焊接引线由所述布线层的一部分构成并从形成在所述绝缘膜上的开口部露出；以及工序d，形成树脂封装体，所述树脂封装体对所述半导体芯片、所述导电性构件以及所述薄膜状粘结层进行封装，其中，对所述工序a中的所述布线基板预先实施了以下工序：在形成露出所述布线层的一部分来覆盖所述布线层的所述绝缘膜之后，在100℃以上150℃以下的温度下进行第一处理时间的第一热处理的工序；和在所述第一热处理之前进行第二热处理的工序，该工序在比所述第一热处理的温度高的温度下进行比所述第一处理时间短的第二处理时间的第二热处理。