发光二极管封装、高反射型硅次基板及其制造方法

摘要

本发明公开一种发光二极管封装、用于发光二极管封装的高反射型硅次基板及其制造方法，其中所述用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法：首先提供一硅基板；在硅基板上形成一反射层；蚀刻掉部分的反射层及硅基板，形成一孔洞；进行一晶片晶背研磨制作工艺，薄化硅基板，使孔洞变成一直通硅晶穿孔；形成一绝缘层，覆盖住该反射层及该硅基板；形成一金属晶种层，覆盖住绝缘层；在绝缘层上形成一光致抗蚀剂图案，定义出一重分布线路层图案；在未被该光致抗蚀剂图案覆盖的金属晶种层上形成一金属层；再去除光致抗蚀剂图案；最后，去除未被该金属层覆盖的该金属晶种层。

主权项

一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，包含有：提供一硅基板；在该硅基板上形成一反射层；蚀刻掉部分的该反射层及该硅基板，形成一孔洞；进行一晶片晶背研磨制作工艺，薄化该硅基板，使得该孔洞变成一直通硅晶穿孔；形成一绝缘层，覆盖住该反射层及该硅基板；形成一金属晶种层，覆盖住该绝缘层；在该绝缘层上形成一光致抗蚀剂图案，定义出一重分布线路层图案；在未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该金属晶种层上形成一金属层；去除该光致抗蚀剂图案；以及去除未被该金属层覆盖的该金属晶种层。