| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MOSFET，该MOSFET能够实现为稳定的反向击穿电压以及降低的导通电阻，当以二维平面来看时，其分别包括n导电类型的SiC晶片、被形成为包括SiC晶片的第一主表面(20A)的p导电类型的多个p本体(21)和形成在由多个p本体(21)围绕的区域中的n导电类型的n+源区(22)。当以二维平面来看时，每个p本体(21)具有圆形形状，并且每个n+源区(22)被布置成与每个p本体(21)同心并且当以二维平面来看时具有圆形形状。当以二维平面图来看时，多个p本体(21)的每个被布置成位于正六边形的各顶点。 | ||
| 申请公布号 | CN102165595A | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN201080002761.0 | 申请日期 | 2010.05.12 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 增田健良;穗永美纱子 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/80(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种半导体器件(1、2)，其包括：第一导电类型的半导体晶片(15、115)；第二导电类型的多个本体区域(21、121)，所述多个本体区域(21、121)被形成为包括第一主表面(20A、120A)，所述第一主表面(20A、120A)是所述半导体晶片(15、115)的一个主表面；以及第一导电类型的载流子供应区域(22、122)，当以二维平面来看时，所述载流子供应区域(22、122)分别形成在由所述多个本体区域(21、121)围绕的区域中，当以二维平面来看时，每个所述本体区域(21、121)具有圆形形状，当以二维平面来看时，每个所述载流子供应区域(22、122)被布置成与每个所述本体区域(21、121)同心并且具有圆形形状，并且当以二维平面来看时，每个所述多个本体区域(21、121)被布置成位于正六边形的各顶点。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||