发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明提供了一种MOSFET,该MOSFET能够实现为稳定的反向击穿电压以及降低的导通电阻,当以二维平面来看时,其分别包括n导电类型的SiC晶片、被形成为包括SiC晶片的第一主表面(20A)的p导电类型的多个p本体(21)和形成在由多个p本体(21)围绕的区域中的n导电类型的n+源区(22)。当以二维平面来看时,每个p本体(21)具有圆形形状,并且每个n+源区(22)被布置成与每个p本体(21)同心并且当以二维平面来看时具有圆形形状。当以二维平面图来看时,多个p本体(21)的每个被布置成位于正六边形的各顶点。 |
申请公布号 |
CN102165595A |
申请公布日期 |
2011.08.24 |
申请号 |
CN201080002761.0 |
申请日期 |
2010.05.12 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
增田健良;穗永美纱子 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/80(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
孙志湧;穆德骏 |
主权项 |
一种半导体器件(1、2),其包括:第一导电类型的半导体晶片(15、115);第二导电类型的多个本体区域(21、121),所述多个本体区域(21、121)被形成为包括第一主表面(20A、120A),所述第一主表面(20A、120A)是所述半导体晶片(15、115)的一个主表面;以及第一导电类型的载流子供应区域(22、122),当以二维平面来看时,所述载流子供应区域(22、122)分别形成在由所述多个本体区域(21、121)围绕的区域中,当以二维平面来看时,每个所述本体区域(21、121)具有圆形形状,当以二维平面来看时,每个所述载流子供应区域(22、122)被布置成与每个所述本体区域(21、121)同心并且具有圆形形状,并且当以二维平面来看时,每个所述多个本体区域(21、121)被布置成位于正六边形的各顶点。 |
地址 |
日本大阪府 |