精确控制线宽的浅槽隔离工艺

摘要

本发明公开了一种精确控制线宽的浅槽隔离工艺，该方法包括如下步骤：第1步，在硅片表面涂光刻胶，曝光显影后露出刻蚀窗口；第2步，测量刻蚀窗口之间的线宽；第3步，在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅；第4步，干法等离子体去除光刻胶；第5步，湿法化学剥离光刻胶；第6步，测量浅槽隔离结构之间的线宽；本发明的创新之处在于，在第3步和第4步之间增加一步：采用各向同性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅。本发明可以精确控制浅槽隔离工艺的特征尺寸，减少对光刻CD的精度要求，消除光刻返工，从而降低生产成本。

主权项

1.一种精确控制线宽的浅槽隔离工艺，该方法包括如下步骤：第1步，在硅片表面涂光刻胶，曝光显影后露出刻蚀窗口；第2步，测量刻蚀窗口之间的线宽；第3步，采用各向异性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅；第4步，干法等离子体去除光刻胶；第5步，湿法化学剥离光刻胶；第6步，测量浅槽隔离结构之间的线宽；其特征是：在第3步和第4步之间增加一步：采用各向同性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅，刻蚀时间其中a1为所述方法第2步测量的刻蚀窗口之间的线宽，Δa为之前浅槽隔离工艺测量的刻蚀线宽损失量，a3为浅槽隔离结构之间的线宽的目标值，c为各向同性刻蚀的横向刻蚀速率。