发明名称 | 一种双MOS结构硅基电光调制器 | ||
摘要 | 本发明涉及一种双MOS结构硅基电光调制器,该结构由上到下分别为:顶层硅波导层、顶层绝缘栅层、中间层硅波导层、底层绝缘栅层、底层硅波导层、埋氧SiO2层、Si衬底。其中,顶层硅波导层以及底层硅波导层均为N型掺杂硅层,中间层硅波导层为P型掺杂硅层,该P型掺杂硅层中间设置有分光层,将其分为同样厚度的两层,分光层将入射光束分开成两束相同的光传播,该结构还包括设置在N型掺杂硅层的接地电极,以及设置在P型掺杂硅层的金属电极,缘栅层均为SiO2材料制成。本发明的双MOS结构硅基电光调制器调制速度快、效率高、器件尺寸小,可采用不同栅材料、不同尺寸,选择不同的掺杂浓度。 | ||
申请公布号 | CN101813834B | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
申请号 | CN200910129404.X | 申请日期 | 2009.03.18 |
申请人 | 北京大学 | 发明人 | 周治平;毛岸;郜定山;朱梦霞 |
分类号 | G02F1/025(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/025(2006.01)I |
代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 张国良 |
主权项 | 一种双MOS结构硅基电光调制器,其特征在于,该结构由上到下分别为:顶层硅波导层、顶层绝缘栅层、中间层硅波导层、底层绝缘栅层、底层硅波导层、埋氧SiO2层、Si衬底;所述中间层硅波导层中间设置有分光层,将所述中间层硅波导层分为同样厚度的两层,所述分光层将入射光束分开成两束相同的光分别传播;所述顶层硅波导层以及底层硅波导层均为N型掺杂硅层,所述中间层硅波导层为P型掺杂硅层。 | ||
地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 |