| 发明名称 | 碳化硅单晶基板 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种除去了引起结晶缺陷的附着粒子的表面洁净度高的碳化硅单晶基板。通过使用附着于基板的一面的高度为100nm以上的第1附着粒子的密度为1个/cm2以下、并且附着于所述基板的一面的高度小于100nm的第2附着粒子的密度为1500个/cm2以下的碳化硅单晶基板，能够解决所述课题。 | ||
| 申请公布号 | CN102165563A | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN200980137809.6 | 申请日期 | 2009.09.28 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 坂口泰之 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种碳化硅单晶基板，其特征在于，附着于基板的一面的高度为100nm以上的第1附着粒子的密度为1个/cm2以下，并且，附着于所述基板的一面的高度小于100nm的第2附着粒子的密度为1500个/cm2以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||