发明名称 |
量子点光伏器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体光伏器件及其制造方法,其可以吸收宽波长范围的光,具备高的电子-空穴对分离性能,并且其光电转换效率高。更详细地,本发明所涉及的半导体光伏器件的制造方法包括如下步骤:a)在p型或n型半导体基板上部,在掺杂与所述半导体基板类型相同的杂质的介质内形成量子点,来形成半导体量子薄膜;b)通过部分蚀刻来形成贯通所述半导体量子点薄膜的气孔阵列;c)在形成了所述气孔阵列的半导体量子点薄膜上,沉积掺杂了与所述半导体基板互补的杂质的半导体;d)在所述掺杂了互补的杂质的半导体上,按顺序形成透明传导膜以及上部电极,在所述半导体基板下部形成下部电极。 |
申请公布号 |
CN102165605A |
申请公布日期 |
2011.08.24 |
申请号 |
CN200980138128.1 |
申请日期 |
2009.08.28 |
申请人 |
韩国标准科学研究院 |
发明人 |
金庆中;李雨;金龙成;金永宪;洪升辉;尹琓洙;姜相宇 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
张晶 |
主权项 |
一种光伏器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:a)在p型或n型半导体基板上部,在掺杂与所述半导体基板类型相同的杂质的介质内形成量子点,来形成半导体量子薄膜;b)通过部分蚀刻来形成贯通所述半导体量子点薄膜的气孔阵列;c)在形成了所述气孔阵列的半导体量子点薄膜上,沉积掺杂了与所述半导体基板互补的杂质的半导体;d)在所述掺杂了互补的杂质的半导体上,按顺序形成透明传导膜以及上部电极,在所述半导体基板下部形成下部电极。 |
地址 |
韩国大田广域市 |