发明名称 |
三相无中线交流过零检测装置 |
摘要 |
本发明公开了一种三相无中线交流过零检测装置。该装置包括:三个光电耦合器,所述光电耦合器包括发光二极管和对应的三极管,所述发光二极管的阳极分别与一火线相连接,所述三极管的发射极接地,所述发光二极管的阴极相连接。采用本发明三相无中线交流过零检测装置,克服了现有技术必须依靠零线进行过零点检测的缺点。 |
申请公布号 |
CN101598749B |
申请公布日期 |
2011.08.24 |
申请号 |
CN200910108175.3 |
申请日期 |
2009.06.26 |
申请人 |
中兴通讯股份有限公司 |
发明人 |
刘辉;魏滢 |
分类号 |
G01R19/175(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/175(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 |
代理人 |
胡海国 |
主权项 |
一种三相无中线交流过零检测装置,包括三个光电耦合器,所述光电耦合器包括发光二极管和对应的三极管,所述发光二极管的阳极通过分压电路分别与一火线相连接,所述三极管的发射极接地,其特征在于,所述发光二极管的阴极相连接;还包括智能处理单元,所述智能处理单元与所述三极管的集电极相连接,用于接收和处理集电极输出的信号,并对输出所述集电极输出的信号的上升沿和下降沿信号补偿所述光电耦合器的死区时间,将所述上升沿信号右移所述死区时间,将所述下降沿信号左移所述死区时间。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦A座6层 |