包含具有超级结的沟槽MOSFET的半导体器件

摘要

本发明描述了将MOSFET架构与PN超级结结构相结合的半导体器件以及用于制造该器件的方法。所述MOSFET架构能够被利用包含栅极的沟槽结构制造，所述栅极被夹在顶部的厚绝缘层和沟槽底部之间。超级结结构的PN结被形成在沟槽侧壁中的n-型掺杂区域和p-型外延层之间。沟槽MOSFET的栅极被利用栅极绝缘层与超级结结构隔离。这些半导体器件相对于屏蔽沟槽MOSFET器件能够具有较低的电容和较高的击穿电压并且能够在中压到高压范围内替代这些器件。还描述了其它实施例。

主权项

一种半导体器件，包括：用第一传导性类型的掺杂剂重掺杂的半导体基材；基材上的外延层，所述外延层被以第二传导性类型的掺杂剂轻掺杂；形成在外延层中的沟槽，所述沟槽包含没有屏蔽电极的MOSFET结构并且还包含被用第一传导性类型的掺杂剂轻掺杂的侧壁；接触外延层的上表面和MOSFET结构的上表面的源极层；和接触基材底部的漏极。