| 发明名称 | 薄膜晶体管、电子设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管、电子设备及其制造方法。所述薄膜晶体管可以实现性能稳定。有机TFT包括：栅电极(1)；活性层(3)，隔着栅绝缘层(2)与所述栅电极(1)相对配置；源电极(4)和漏电极(5)，它们相互分开，并且与所述活性层(3)连接。活性层(3)含有可溶性有机半导体材料和可溶性高分子材料，该可溶性高分子材料的玻璃化温度比封装工序中的最高温度高。 | ||
| 申请公布号 | CN102163692A | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN201110041020.X | 申请日期 | 2011.02.17 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 福田敏生;大江贵裕 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 李雪春;武玉琴 |
| 主权项 | 一种电子设备，该电子设备包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅电极；活性层，隔着栅绝缘层与所述栅电极相对配置，并且含有可溶性有机半导体材料和可溶性高分子材料；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极相互分开，并且与所述活性层连接；以及封装部件，与所述薄膜晶体管一起被封装，其中，所述可溶性高分子材料的玻璃化温度高于在所述薄膜晶体管与所述封装部件一起被封装的工序中的最高温度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||