| 发明名称 | 一种晶体硅镀膜后不良片的处理液及其处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体硅镀膜后不良片的处理液和处理方法，处理液是由浓度为50％的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为2％～30％的氢氟酸水溶液。其处理方法是：1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2)将制绒槽内的处理液升温到30～70℃；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡5～30min，然后将其取出水洗、烘干。晶体硅镀膜后的不良片置于升温到30～70℃的处理液中，不良片上的氮化硅“彩虹”完全被处理液腐蚀掉，使废片成为合格产品，降低了晶体硅片的报废率，节约了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102163549A | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN201110028623.6 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 巨力新能源股份有限公司 | 发明人 | 杨建国;许颖;张东;殷志涛;田娜 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 | 代理人 | 王葶葶 |
| 主权项 | 一种晶体硅镀膜后不良片的处理液，其特征在于：其是由浓度为50％的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为2％～30％的氢氟酸水溶液。 | ||
| 地址 | 072550 河北省保定市徐水县巨力路 | ||