减少存储器装置的自由层的自旋抽运感应阻尼

摘要

本发明揭示一种减少存储器装置(100)的自由层(110)的自旋抽运感应阻尼的系统和方法。所述存储器装置包括反铁磁性材料(AFM)钉扎层(104)，其与位线存取电极(102)接触。所述存储器装置还包括：被钉扎层(106)，其与所述AFM钉扎层接触；隧道势垒层(108)，其与所述被钉扎层接触；以及自由层(110)，其与所述隧道势垒层接触。所述存储器装置包括自旋扭矩增强层(112)，其与所述自由层接触且与存取晶体管电极接触。所述自旋扭矩增强层经配置以实质上减少所述自由层的自旋抽运感应阻尼。

主权项

一种存储器装置，其包含：位线存取电极；反铁磁性材料(AFM)钉扎层，其与所述位线存取电极接触；被钉扎层，其与所述AFM钉扎层接触；隧道势垒层，其与所述被钉扎层接触；自由层，其与所述隧道势垒层接触；以及自旋扭矩增强层，其与所述自由层接触且与存取晶体管电极接触，所述自旋扭矩增强层经配置以实质上减少所述自由层的自旋抽运感应阻尼。