半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。该半导体发光元件使用不透明的半导体衬底形成金属反射层且具有高亮度。该半导体发光元件由GaAs衬底结构和发光二极管结构构成。所述GaAs衬底结构具有：GaAs层(3)、配置在GaAs层的表面的第一金属缓冲层(2)、配置于第一金属缓冲层上的第一金属层(1)、配置于GaAs层的背面的第二金属缓冲层(4)和第二金属层(5)；所述发光二极管结构配置于所述GaAs衬底结构上，其具有：第三金属层(12)、配置于第三金属层上的金属接触层(11)、配置于金属接触层上的p型包层(10)、配置于p型包层的多量子阱层(9)、配置于多量子阱层上的n型包层(8)、配置于n型包层上的窗层(7)；使用第一金属层(1)及第三金属层(12)，将发光二极管结构与GaAs衬底结构粘合在一起。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，由GaAs衬底结构和发光二极管结构构成，所述GaAs衬底结构具有：表面形成有多个沟槽部的GaAs层、配置在所述GaAs层的所述表面、所述沟槽部的侧壁及所述沟槽部的底面的第一金属缓冲层、配置于所述第一金属缓冲层上的第一金属层、配置于所述GaAs层的背面的第二金属缓冲层、配置于所述第二金属缓冲层的与所述GaAs层相反一侧表面上的第三金属层；所述发光二极管结构配置于所述GaAs衬底结构上，其具有：第二金属层、配置于所述第二金属层上的金属接触层、配置于所述金属接触层上的p型包层、配置于所述p型包层的多量子阱层、配置于所述多量子阱层上的n型包层、配置于所述n型包层上的窗层；使用配置在所述GaAs层的所述表面的所述第一金属层及所述第二金属层，将所述发光二极管结构与所述GaAs衬底结构粘合，并且在所述槽部的所述第一金属层和所述第三金属层之间存在气隙。