一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液

摘要

本发明一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液，属于化学机械抛光用的抛光液，特别涉及II-VI族化合物半导体晶片化学机械抛光用的抛光液领域。抛光液的pH值为0.5～7，粒径为5～20nm。抛光液组成成分是按重量百分比，其中磨料5-40％，表面活性剂0.1-10％，分散剂0.1-10％，螯合剂0.1-10％，氧化剂0.1-5％，pH调节剂0.1-5，其余为去离子水。本发明不腐蚀设备，不污染环境。抛光去除率高，达到200nm/min，抛光样品表面粗糙度低，可达到粗糙度Ra值在10埃以下。抛光液的配制方便，成本低，抛光后的表面无划痕和腐蚀坑等缺陷。

主权项

一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液，其特征在于：抛光液的pH值为0.5～7，粒径为5～20nm；抛光液的组成成分如下：按重量百分比，磨料为5～40％，表面活性剂为0.1～10％，分散剂0.1～10％，螯合剂0.1～10％，氧化剂0.1～5％，pH调节剂0.1～5％，余量为去离子水；磨料为硅溶胶，其粒径为5～20nm；表面活性剂采用无金属离子的壬基酚聚氧乙烯醚；分散剂采用聚乙烯醇；螯合剂采用六羟丙基丙二胺；氧化剂采用硝酸；pH调节剂采用氢氧化钾。