用于去除刻蚀残留物的组合物

摘要

用于去除刻蚀残留物的组合物，包括清洗有效量的溶剂、缓冲水溶液、氟化物、抗冻剂、聚合物抑制剂，可用于清洗半导体制造过程中的刻蚀残留物，且不会侵蚀SiO2、PETEOS、硅、低介质材料和一些金属物质如Ti、Al、Cu。

主权项

一种用于去除半导体工业中等离子刻蚀残留物的清洗液组合物，其特征在于：包括清洗有效量的溶剂、缓冲水溶液、氟化物、聚合物腐蚀抑制剂和抗冻剂，其中，所述聚合物腐蚀抑制剂为含有羧基的均聚物和/或含有羧基的共聚物，所述的含有羧基的均聚物为聚丙烯酸和/或聚马来酸酐；所述的含有羧基的共聚物为含羧基的聚醚共聚物、丙烯酸与马来酸共聚物、苯乙烯与丙烯酸共聚物和/或丙烯腈与马来酸共聚物以及它们的铵盐、钾盐和/或钠盐，所述的溶剂为N‑甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺或环丁砜。