| 主权项 |
一种具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，包括：一第一轴感应层，包括多数在一第一轴向上平行排列的电极串，每一电极串分别由多数感应电极组成，相邻感应电极间分别以一第一轴连接部相互连接，该第一轴连接部具有一第一宽度；一第二轴感应层，包括多数在一第二轴向上平行排列的电极串，该第二轴向垂直于第一轴向，而每一电极串分别由多数感应电极组成，相邻感应电极间分别以一第二轴连接部相互连接；该第二轴感应层每一电极串的感应电极数量大于第一轴感应层每一电极串的感应电极数量；且第二轴感应层一个以上电极串的一个以上第二轴连接部具有一第二宽度，该第二宽度大于前述第一宽度。如申请专利范围第1项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第二轴感应层上所有电极串的第一轴连接部均为第二宽度。如申请专利范围第1项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该等第一轴感应层与第二轴感应层系分别形成在一基板的表面及底面上，或分别形成两基板的相对表面上；该基板上并形成有一连接埠；该第二轴感应层远离基板上连接埠的特定位置电极串系令其第二轴连接部为第二宽度，该第二轴感应层特定位置以外的电极串则令其第二轴连接部为第一宽度。如申请专利范围第1至3项中任一项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第一轴感应层系一X轴感应层，该第二轴感应层系一Y轴感应层。如申请专利范围第4项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第二宽度与第一宽度的比例为16:9。如申请专利范围第4项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第二宽度系加大至105%，第一宽度系减至95%。如申请专利范围第4项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第二宽度系加大至110%，第一宽度系减至90%。如申请专利范围第4项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第二宽度系加大至115%，第一宽度系减至85%。一种具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，包括：一第一轴感应层，包括多数在一第一轴向上平行排列的电极串，每一电极串分别由两并联的次电极串组成，各次电极串是分别由多数感应电极组成，相邻感应电极间分别以一第一轴连接部相互连接，该第一轴连接部具有一第一宽度；一第二轴感应层，包括多数在一第二轴向上平行排列的电极串，该第二轴向垂直于第一轴向，每一电极串分别由两并联的次电极串所组成，各次电极串分别由多数感应电极组成，相邻感应电极间分别以一第二轴连接部相互连接；该第二轴感应层上每一次电极串的感应电极数量大于第一轴感应层每一次电极串的感应电极数量；且第二轴感应层一个以上次电极串的一个以上第二轴连接部具有一第二宽度，该第二宽度大于前述第一宽度。如申请专利范围第9项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第二轴感应层上所有次电极串的第一轴连接部均为第二宽度。如申请专利范围第9项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该等第一轴感应层与第二轴感应层系分别形成在一基板的表面及底面上，或分别形成两基板的相对表面上；该基板上并形成有一连接埠；该第二轴感应层远离基板上连接埠的特定位置次电极串系令其第二轴连接部为第二宽度，该第二轴感应层特定位置以外的次电极串则令其第二轴连接部为第一宽度。如申请专利范围第9至11项中任一项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第一轴感应层系一X轴感应层，该第二轴感应层系一Y轴感应层。如申请专利范围第12项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第二宽度与第一宽度的比例为16:9。如申请专利范围第12项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第二宽度系加大至105%，第一宽度系减至95%。如申请专利范围第12项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第二宽度系加大至110%，第一宽度系减至90%。如申请专利范围第12项所述具阻抗微调构造的投射式电容触控面板，该第二宽度系加大至115%，第一宽度系减至85%。 |
