| 主权项 |
一种热边缘环，用以包围位在一电浆处理室中的一半导体基板，于该电浆处理室中产生电浆，而该电浆用以处理该半导体基板，该电浆处理室包含：一基板载台，包含在一向外延伸之环状支撑表面与一圆形基板支撑表面之间延伸的一垂直侧壁，该基板载台系设置成使该半导体基板支撑在该基板支撑表面上，并且使该半导体基板的一突出边缘延伸超出该垂直侧壁；一无线射频(RF，radio frequency)耦合环，支撑在该环状支撑表面上；以及一热边缘环，支撑在该RF耦合环上；该热边缘环包含一环状体，该环状体包含：一下表面，设置成支撑在该RF耦合环上；一内表面，从该下表面的一内周边向上延伸，并且用以包围该垂直侧壁；一第一台阶，从该内表面的一上周边向外延伸并从一倾斜上表面的一内周边向下延伸，并且设置成位于该半导体基板之该突出边缘的下方；该倾斜上表面，包含一截圆锥形表面，该截圆锥形表面系从该第一台阶的一上周边向外与向上延伸；一外表面，从该倾斜上表面的一外周边向下延伸；及一第二台阶，从该外表面的一下周边向内延伸并从该下表面的一外周边向上延伸。如申请专利范围第1项所述之热边缘环，其中：该内表面具有约11.7寸的直径；该倾斜上表面具有约0.75寸的宽度；该第一台阶具有一水平表面，该水平表面具有约11.9寸的外径、实质上系垂直于该热边缘环的一中心轴、以及从该内表面的一上周边向外延伸；该第一台阶具有一垂直表面，该垂直表面具有约0.075寸的高度、实质上系平行于该热边缘环的该中心轴、以及从该水平表面的一外周边向上延伸到该倾斜上表面的一内周边；该倾斜上表面之该截圆锥形表面的开口角度约为175°到179°。如申请专利范围第1项所述之热边缘环，其中：该外表面具有约13.4寸的直径；该第二台阶具有一垂直表面，该垂直表面具有约0.11寸的高度、实质上系平行于该热边缘环的一中心轴、以及从该下表面的一外周边向上延伸；该第二台阶具有一水平表面，该水平表面具有约13.3寸的内径、实质上系垂直于该热边缘环的该中心轴、以及从该垂直表面的一上周边向外延伸到该外表面的一下周边。如申请专利范围第1项所述之热边缘环，其中该倾斜上表面之该截圆锥形表面的开口角度为177°。如申请专利范围第1项所述之热边缘环，其中该热边缘环实质上系由具有介于约5与100 mΩ．cm间之电阻率的低电阻率掺硼单晶矽所组成。如申请专利范围第1项所述之热边缘环，其中该热边缘环实质上系由碳化矽所组成。如申请专利范围第1项所述之热边缘环，其中该热边缘环实质上系由具有5000欧姆-cm以下之电阻率的CVD SiC所组成。如申请专利范围第1项所述之热边缘环，更包含：一扁平边缘，位于沿着该热边缘环之一内周边的一单一位置上；以及一单一孔洞，在该热边缘环的该倾斜上表面与该下表面之间延伸。如申请专利范围第8项所述之热边缘环，其中该孔洞具有约0.3寸的直径，该孔洞的中心系距离该热边缘环的中心约6.4寸，以及该扁平边缘系位在该热边缘环上相对于该孔洞位置的一相对侧上，该扁平边缘系距离该热边缘环的中心约5.8寸，以及该扁平边缘系位在平行于该热边缘环之一中心轴的一轴面上，该轴面系垂直于通过该热边缘环之中心的一径向线。一种电浆处理室，包含：一基板载台，包含一垂直侧壁，该垂直侧壁系在一向外延伸之环状支撑表面与一圆形基板支撑表面之间延伸，该基板载台的设置系使一半导体基板受支撑在该基板支撑表面上，并且使该半导体基板的一突出边缘向外延伸超出该垂直侧壁；一RF耦合环，支撑在该环状支撑表面上；及如申请专利范围第1项所述之该热边缘环，支撑在该RF耦合环上。如申请专利范围第10项所述之电浆处理室，其中该基板载台更包含一静电夹头，该静电夹头用以将该半导体基板夹固在该基板支撑表面上。 |
