| 主权项 |
一种用以对一电子元件实施双重模式单一温度修整以移除组合的不匹配误差与制程变化误差的系统，该系统包括：一动态元件匹配控制器，该动态元件匹配控制器系被配置成用以致能该电子元件中各组件的动态元件匹配作用；一制程修整模组，该制程修整模组系被配置成用以实施一制程修整以从该电子元件中移除温度相依的误差，同时在该电子元件内致能该动态元件匹配作用；以及一不匹配修整模组，该不匹配修整模组系被配置成用以在已经实施该制程修整之后来实施一不匹配修整，以便从该电子元件中移除不匹配误差，其中，该不匹配修整系在该电子元件中动态元件匹配作用已经被禁能的部份之上来实施，且其中，实施该不匹配修整时的温度实质上等于实施该制程修整时的温度。如申请专利范围第1项之系统，其中，该动态元件匹配控制器系进一步被配置成用以接收外部控制信号，并且响应于该等外部控制信号用以在该电子元件的复数个部份之中来选择性地致能与禁能动态元件匹配作用。如申请专利范围第1项之系统，其中，该电子元件包括一经封装的电子元件。如申请专利范围第1项之系统，其中，该电子元件系一能隙电压产生器电路。如申请专利范围第1项之系统，其中，该制程修整模组系被配置成用以实施该制程修整，以从该电子元件中移除双载子接面电晶体制程变化增益误差。如申请专利范围第1项之系统，其中，该不匹配修整模组系被配置成用以实施该不匹配修整，以从该电子元件中移除金属氧化物半导体场效电晶体不匹配误差。如申请专利范围第1项之系统，其中，该不匹配修整模组系被配置成用以实施该不匹配修整以从该电子元件中移除电阻器不匹配误差。一种用以对一电子元件实施双重模式单一温度修整以移除组合的不匹配误差与制程变化误差的方法，该方法包括：运用一校正技术来主动移除该电子元件的组合的不匹配误差与制程变化误差中的不匹配误差成份；实施一制程修整，以从该电子元件中移除温度相依的误差，其中，当该不匹配误差成份正在被主动移除时系同时实施该制程修整；停止主动移除该不匹配误差成份；以及实施一不匹配修整以修整去除该不匹配误差成份，其中，当实施该不匹配修整时系停止主动移除该不匹配误差成份，且其中，该电子元件系维持在和实施该制程修整时的温度实质相等的温度处。如申请专利范围第8项之方法，其中，该运用一校正技术来主动移除该电子元件的该等组合的不匹配误差与制程变化误差中的不匹配误差成份系包括：运用动态元件匹配作用来主动移除该电子元件的该等组合的不匹配误差与制程变化误差中的该不匹配误差成份。如申请专利范围第8项之方法，其中，该停止主动移除该不匹配误差成份系包括：停止主动移除因该电子元件的一部份之中的选定组件所造成的一部份的该不匹配误差成份，同时继续主动修整该电子元件中该不匹配误差成份的任何剩余部份。如申请专利范围第10项之方法，其中，该实施一不匹配修整以修整去除该不匹配误差成份，其中，当实施该不匹配修整时系停止该主动移除该不匹配误差成份，且其中，该电子元件系维持在和实施该制程修整时的温度实质相等的温度处系包括：实施一不匹配修整以修整去除该等选定组件的不匹配误差成份，其中，当实施该不匹配修整时系停止对该等选定组件实施主动移除该不匹配误差，且其中，该电子元件系维持在和实施该制程修整时的温度实质相等的温度处。如申请专利范围第8项之方法，其中，该电子元件包括一经封装的电子元件。如申请专利范围第8项之方法，其中，该温度相依的误差包括一温度相依的增益误差。如申请专利范围第8项之方法，其中，该温度相依的误差包括一温度相依的偏移误差。一种用以实施双重模式单一温度修整以便从一能隙产生器电路中移除组合的不匹配误差与制程变化误差的方法，该方法包括：运用动态元件匹配作用来主动移除该等组合不匹配误差与制程变化误差中的不匹配误差成份；实施一制程修整，以移除该能隙产生器电路中所使用的双载子接面电晶体的温度相依的误差，其中，当该不匹配误差成份正在被主动移除时系同时实施该制程修整；以及实施一不匹配修整以修整去除该不匹配误差成份，其中，当实施该不匹配修整时系停止主动移除该不匹配误差成份，且其中，该能隙产生器电路系维持在和实施该制程修整时的温度实质相等的温度处。如申请专利范围第15项之方法，其中，该运用动态元件匹配作用来移除该等组合的不匹配误差与制程变化误差中的不匹配误差成份系包括：运用该动态元件匹配作用来移除该能隙产生器电路中因为金属氧化物半导体场效电晶体的不匹配误差所造成的不匹配误差。如申请专利范围第15项之方法，其中，该运用动态元件匹配作用来移除该等组合的不匹配误差与制程变化误差中的不匹配误差成份系包括：运用该动态元件匹配作用来移除该能隙产生器电路中因为电阻器所造成的不匹配误差。如申请专利范围第15项之方法，其中，该实施一不匹配修整以修整去除该不匹配误差成份系包括：对该能隙产生器电路的金属氧化物半导体场效电晶体实施一不匹配修整。如申请专利范围第15项之方法，其中，该实施一不匹配修整以修整去除该不匹配误差成份系包括：对该能隙产生器电路的电阻器实施一不匹配修整。如申请专利范围第15项之方法，其中，该能隙产生器电路包括一经封装的电子元件的能隙产生器电路。如申请专利范围第15项之方法，其中，该温度相依的误差包括一温度相依的增益误差。如申请专利范围第15项之方法，其中，该温度相依的误差包括一温度相依的偏移误差。 |
