| 主权项 |
一种覆晶接合制程，适用于将一晶片接合至一基板，其中该晶片具有一主动表面及至少一凸块，而该至少一凸块系配置于该主动表面，且该至少一凸块系具有一氧化层，其覆盖于该至少一凸块所暴露出之表面，并且该基板更具有一基板表面及至少一接合垫，而该至少一接合垫系配置于该基板表面，该覆晶接合制程至少包括下列步骤：(a)利用一清洁元件擦拭该至少一凸块，以移除该至少一凸块所具有之该氧化层；(b)将该至少一凸块接触至其所对应之该至少一接合垫；以及(c)回焊该至少一凸块，使得该至少一凸块接合至其所对应之该至少一接合垫。如申请专利范围第1项所述之覆晶接合制程，其中该清洁元件系为一泡绵。如申请专利范围第2项所述之覆晶接合制程，其中该泡绵为高密度发泡高分子材料。如申请专利范围第2项所述之覆晶接合制程，其中该至少一凸块之材质系为锡铅合金。如申请专利范围第2项所述之覆晶接合制程，该氧化层系位于该至少一凸块之远离该晶片的一端。如申请专利范围第1项所述之覆晶接合制程，该基板更具有至少一预焊块，其连接至其所对应之该至少一接合垫，于步骤(b)时，该至少一凸块系经由其所对应之该至少一预焊块，而间接地接触其所对应之该至少一接合垫。如申请专利范围第6项所述之覆晶接合制程，于步骤(c)时，该至少一凸块系接合至其所对应之该至少一预焊块。如申请专利范围第6项所述之覆晶接合制程，其中该至少一预焊块之材质系为锡铅合金。如申请专利范围第6项所述之覆晶接合制程，该步骤(a)另包含：(a1)于利用该清洁元件移除该至少一凸块所具有之该氧化层后，形成一助焊薄膜于该至少一凸块之外表面。如申请专利范围第9项所述之覆晶接合制程，其中，步骤(a1)系以沾附一助焊剂的方式来形成该助焊薄膜。如申请专利范围第9项所述之覆晶接合制程，其制程另包含下列步骤：(d)清洗回焊后之该至少一凸块，以去除该至少一凸块之外表面的该助焊薄膜。如申请专利范围第1项所述之覆晶接合制程，其中，步骤(c)系利用一回焊炉进行回焊。 |
