| 主权项 |
一种制作逻辑和非挥发记忆元件的方法，包含：形成一氧化层于一基材之上；形成一氮化层于该基材之上；施加一高热处理，其至少足以造成某些氮原子由该氮化层移动至该基材中；移除该氮化层与该氧化层；以及成长一闸极氧化层于该基材之上，其中成长该闸极氧化层造成该基材中捕捉之该些氮原子，移动至该闸极氧化层之中。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该热处理包含施加约在800℃至1200℃之间的温度。如申请专利范围第2项所述之方法，其中施加该温度之时间约在0.5小时至2小时之间。如申请专利范围第1项所述之方法，其中形成该氧化层包含利用热氧化该基材，成长该氧化层。如申请专利范围第3项所述之方法，其中该氧化层包含一厚度范围约在10埃(angstrom)至100埃之间。如申请专利范围第1项所述之方法，其中成长该闸极氧化层，包含利用热氧化该基材，成长该闸极氧化层。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该闸极氧化层包含一厚度范围约在50埃至250埃之间。如申请专利范围第1项所述之方法，其中更包含形成一主动区域于该基材之中。如申请专利范围第8项所述之方法，其中形成该主动区域，包含利用一浅沟槽隔离制程形成该主动区域。如申请专利范围第1项所述之方法，其中更包含形成复数个井区域于该基材中。如申请专利范围第1项所述之方法，更包含定义该逻辑或该记忆元件之一通道长度。如申请专利范围第1项所述之方法，更包含为该逻辑或该记忆元件，在该基材中形成复数个扩散区域。如申请专利范围第1项所述之方法，更包含为该逻辑或该记忆元件形成复数个源极与汲极接触。如申请专利范围第1项所述之方法，其中更包含形成一金属内连接层。 |
