| 主权项 |
一种在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，包括：(a)提供一板材，该板材包括一基层与一第一导电层，该第一导电层配置于该基层的一表面上；(b)形成至少一贯孔于该板材上，以作为一量测基板尺寸的量测靶点；(c)形成一镀通孔于该贯孔内，以作为另一次量测基板尺寸的量测靶点；(d)全面形成一介电层于该板材上；以及(e)移除该镀通孔上方的该介电层，使其暴露出该镀通孔，以作为下一次量测基板尺寸的量测靶点。如申请专利范围第1项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中形成该镀通孔的方法包括：形成一第二导电层于该第一导电层表面以及该贯孔内壁；以及图案化该基层之该表面上的该第一导电层与该第二导电层，以在该贯孔周围形成一保护垫，该保护垫连接该贯孔内壁的该第二导电层。如申请专利范围第2项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中形成该贯孔于该板材中的方法包括对该板材进行机械钻孔或雷射钻孔。如申请专利范围第2项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中在进行步骤(d)时，该介电层系填入该贯孔内。如申请专利范围第1项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中形成该介电层于该板材上的方法包括压合一增层膜于该板材上。如申请专利范围第5项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中该增层膜为一ABF膜。如申请专利范围第1项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中移除部份该介电层的方法包括对该介电层进行机械钻孔或雷射钻孔。如申请专利范围第1项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中在步骤(e)之后，更包括：(f)全面形成一焊罩层于该板材上；以及(g)移除该镀通孔上方的该焊罩层，使其暴露出该镀通孔，以作为再一次量测基板尺寸的量测靶点。如申请专利范围第8项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中形成该焊罩层的方法包括印刷一焊罩材料于该板材上。如申请专利范围第8项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中移除部份该焊罩层的方法包括对该焊罩层进行一微影制程。如申请专利范围第8项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，更包括在步骤(f)之前重复步骤(d)与步骤(e)至少一次。一种在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，包括：提供一板材，该板材包括一基层与一第一导电层，该第一导电层配置于该基层的一表面上；形成至少一贯孔于该板材上，以作为第一次量测基板尺寸的量测靶点；形成一第二导电层在该第一导电层表面以及该贯孔内壁；图案化该基层之该表面上的该第一导电层与该第二导电层，以在该开孔周围形成一保护垫，此时该贯孔作为第二次量测基板尺寸的量测靶点；形成一第一介电层于该基层之该表面上，且该第一介电层填入该贯孔内；移除该保护垫上方与该开孔上方的该第一介电层，以形成一第一开孔，该第一开孔暴露出该保护垫与该贯孔，以作为第三次量测基板尺寸的量测靶点；形成一第二介电层于该第一介电层上，且该第二介电层填入该第一开孔内；移除该保护垫与该开孔上方的该第二介电层，以形成一第二开孔，该第二开孔暴露出该保护垫与该贯孔，以作为第四次量测基板尺寸的量测靶点；形成一焊罩层于该第二介电层上，且该焊罩层填入该第二开孔内；以及移除该保护垫与该开孔上方的该焊罩层，以形成一第三开孔，该第三开孔暴露出该保护垫与该贯孔，以作为第五次量测基板尺寸的量测靶点。如申请专利范围第12项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中形成该贯孔于该板材中的方法包括对该板材进行机械钻孔或雷射钻孔。如申请专利范围第12项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中形成该第一介电层或该第二介电层于该板材上的方法包括压合一增层膜于该板材上。如申请专利范围第14项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中该增层膜为一ABF膜。如申请专利范围第12项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中移除部份该第一介电层或部分该第二介电层的方法包括对该第一介电层或该第二介电层进行机械钻孔或雷射钻孔。如申请专利范围第12项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中形成该焊罩层的方法包括印刷一焊罩材料于该板材上。如申请专利范围第17项所述之在基板制程中形成用以量测基板尺寸之量测靶点的方法，其中移除部份该焊罩层的方法包括对该焊罩层进行一微影制程。 |
