| 主权项 |
一种电池模组，用于一电子装置，该电池模组包括：一电池(Cell)；一放电开关电路，包含一第一电晶体，系耦接至该电池及该电子装置；以及一突波电流抑制控制电路，用以当该电子装置与该放电开关电路耦接时，使该电池经该放电开关电路逐步地增加流入该电子装置之电流；其中，该突波电流抑制控制电路包括：一电容，该电容之两端分别耦接至该第一电晶体之源极及闸极；以及一第二电晶体，当该电子装置与该放电开关电路耦接时，该第二电晶体之源极系耦接至一接地端，该第二电晶体之汲极系耦接至该第一电晶体之闸极，并且该第二电晶体之闸极系耦接至该第一电晶体之源极。如申请专利范围第1项所述之电池模组，其中该放电开关电路包括一保护积体电路，当流入该电子装置之电流大于一预设值时，该保护积体电路输出一过放电信号至该突波电流抑制电路，以中断流入该电子装置之电流。如申请专利范围第1项所述之电池模组，其中该突波电流抑制控制电路之地端与该电子装置之系统接地端耦接。如申请专利范围第1项所述之电池模组，其中该第一电晶体系为P型金氧半场效电晶体(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。如申请专利范围第1项所述之电池模组，其中该突波电流抑制控制电路包括：一第一电阻，该第二电晶体之汲极系经该第一电阻耦接至该第一电晶体之闸极；以及一第二电阻，该第二电晶体之闸极系经该第二电阻耦接至该第一电晶体之源极。如申请专利范围第5项所述之电池模组，其中该第二电晶体系为N型金氧半场效电晶体。如申请专利范围第1项所述之电池模组，其中放电开关电路更包括一保护积体电路，当流入该电子装置之电流大于一预设值时，该积体电路输出一过放电信号至该突波电流抑制电路，该突波电流抑制电路根据该过放电信号控制该第一电晶体截止(Turn Off)。如申请专利范围第7项所述之电池模组，其中该突波电流抑制电路还包括：一第一电阻，该第二电晶体之汲极系经该第一电阻耦接至该第一电晶体之闸极；一第二电阻，该第二电晶体之闸极系经该第二电阻耦接至该第一电晶体之源极；以及一第三电晶体，该第三电晶体系受控于该过放电信号，该第三电晶体之汲极及源极系分别耦接于该第二电晶体之闸极及该接地端。如申请专利范围第8项所述之电池模组，其中该第二电晶体及该第三电晶体系为N型金氧半场效电晶体。一种电子系统，包括：一电子装置；以及一电池模组，包括：一电池(Cell)；一放电开关电路，包含一第一电晶体，系耦接至该电池及该电子装置；及一突波电流抑制控制电路，用以当该电子装置与该放电开关电路耦接时，使该电池经该放电开关电路逐步地增加流入该电子装置之电流；其中，该突波电流抑制控制电路包括：一电容，该电容之两端分别耦接至该第一电晶体之源极及闸极；以及一第二电晶体，当该电子装置与该放电开关电路耦接时，该第二电晶体之源极系耦接至一接地端，该第二电晶体之汲极系耦接至该第一电晶体之闸极，并且该第二电晶体之闸极系耦接至该第一电晶体之源极。如申请专利范围第10项所述之电子系统，其中该放电开关电路包括一保护积体电路，当流入该电子装置之电流大于一预设值时，该保护积体电路输出一过放电信号至该突波电流抑制电路，以中断流入该电子装置之电流。如申请专利范围第10项所述之电子系统，其中该第一电晶体系为P型金氧半场效电晶体(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。如申请专利范围第10项所述之电子系统，其中该突波电流抑制控制电路包括：一第一电阻，该第二电晶体之汲极系经该第一电阻耦接至该第一电晶体之闸极；以及一第二电阻，该第二电晶体之闸极系经该第二电阻耦接至该第一电晶体之源极。如申请专利范围第13项所述之电子系统，其中该第二电晶体系为N型金氧半场效电晶体。如申请专利范围第10项所述之电子系统，其中放电开关电路更包括一保护积体电路，当流入该电子装置之电流大于一预设值时，该积体电路输出一过放电信号至该突波电流抑制电路，该突波电流抑制电路根据该过放电信号控制该第一电晶体截止(Turn Off)。如申请专利范围第15项所述之电子系统，其中该突波电流抑制电路还包括：一第一电阻，该第二电晶体之汲极系经该第一电阻耦接至该第一电晶体之闸极；一第二电阻，该第二电晶体之闸极系经该第二电阻耦接至该第一电晶体之源极；以及一第三电晶体，该第三电晶体系受控于该过放电信号，该第三电晶体之汲极及源极系分别耦接于该第二电晶体之闸极及该接地端。如申请专利范围第16项所述之电子系统，其中该第二电晶体及该第三电晶体系为N型金氧半场效电晶体。 |
