| 主权项 |
一种高散热记忆体模组结构，系包括：复数个半导体元件；一记忆体模组板，该记忆体模组板上系镶嵌有各半导体元件；以及复数个晶片，各晶片系位于各半导体元件于该记忆体模组板上，且各晶片之表平面系裸露于空气中。依据申请专利范围第1项所述之高散热记忆体模组结构，其中，各半导体元件系放置于该记忆体模组板之一侧。依据申请专利范围第1项所述之高散热记忆体模组结构，其中，各半导体元件系放置于该记忆体模组板之二侧。依据申请专利范围第1项所述之高散热记忆体模组结构，其中，各半导体元件之平面系以锡球与该记忆体模组板相连接。依据申请专利范围第1项所述之高散热记忆体模组结构，其中，各晶片之表平面系直接暴露于空气中。依据申请专利范围第5项所述之高散热记忆体模组结构，其中，各晶片之表平面系可进一步以一热介面物质(Thermal Interface Material,TIM)与至少一散热片之平面相接连接。依据申请专利范围第6项所述之高散热记忆体模组结构，其中，该热介面物质系由高热传导性质之胶材所制成。依据申请专利范围第6项所述之高散热记忆体模组结构，其中，该散热片系由金属或合金所制成。一种高散热记忆体模组结构，系包括：复数个半导体元件；一记忆体模组板，该记忆体模组板系镶嵌有各个半导体元件；复数个晶片，各晶片系位于各半导体元件于该记忆体模组板上；以及至少一个散热片，该散热片系用以发散或散布各半导体元件所产生之热量；其中，上述记忆体模组板上系将半导体元件进行涂底胶(underfill)或封模后，以研磨之方式，直至各半导体元件上晶片之表平面完全暴露于空气中，再与该散热片之平面间以一热介面物质相接连接。依据申请专利范围第9项所述之高散热记忆体模组结构，其中，各半导体元件系放置于该记忆体模组板之一侧。依据申请专利范围第9项所述之高散热记忆体模组结构，其中，各半导体元件系放置于该记忆体模组板之二侧。依据申请专利范围第9项所述之高散热记忆体模组结构，其中，该散热片系由金属或合金所制成。依据申请专利范围第9项所述之高散热记忆体模组结构，其中，该热介面物质系由高热传导性质之胶材所制成。 |
