| 主权项 |
一种边射型高功率雷射二极体结构，其包含：一n型基板；一n型披覆层，其设于该n型基板上；及一模态延展层，其设于该n型披覆层中，该模态延展层包含复数模态延展子层，其中，每一该模态延展子层之折射率均高于该n型披覆层之折射率，且该些模态延展子层系以啁啾型周期性分布，一周期系定义为任两相邻之该些模态延展子层间之距离，该些模态延展子层具有复数周期，且该些周期系以渐进之方式增加或减少。如请求项1所述之边射型高功率雷射二极体结构，更包含：一第一光局限层，其设于该n型披覆层上；一多重量子井层，其设于该第一光局限层上；一第二光局限层，其设于该多重量子井层上；一p型内披覆层，其设于该第二光局限层上；一蚀刻阻挡层，其设于该p型内披覆层上；一p型外披覆层，其设于该蚀刻阻挡层上；一减低能障层，其设于该p型外披覆层上；及一p型接触层，其设于该减低能障层上。如请求项1所述之边射型高功率雷射二极体结构，其中该些模态延展子层之厚度系为完全相同、不完全相同或部分相同。如请求项1所述之边射型高功率雷射二极体结构，其系以一有机金属化学气相沈积方法或一分子束磊晶方法制作。如请求项1所述之边射型高功率雷射二极体结构，其材料系为砷化铝镓、磷化铟镓铝、砷磷化铟镓、砷化铟镓铝或氮化铟铝镓。如请求项5所述之边射型高功率雷射二极体结构，其中该些模态延展子层之材料系为完全相同、不完全相同或部分相同。如请求项1所述之边射型高功率雷射二极体结构，其中该多重量子井层之量子井数目等于或大于5。如请求项1所述之边射型高功率雷射二极体结构，其系应用为通讯用之980 nm的一泵激雷射二极体或绿光之808 nm的一泵激雷射二极体。如请求项1所述之边射型高功率雷射二极体结构，其系应用为一全彩雷射投影机或一全彩雷射投影电视之一高功率雷射二极体。 |
