| 主权项 |
一种微影投影装置，包括：一用以提供一辐射投影射束之辐射系统；一用以支撑图案化构件之支撑结构，该图案化构件用以根据一所要之图案来图案化该投影射束；一用以固持一基板之基板台；一用以将该图案化射束投影至该基板之一目标区上之投影系统；及一液体供给系统，其使用一液体填充该投影系统之最终零件与该基板之间的间隙的，其特征为该液体系一具有一pH值为6.5或更小之水溶液。如请求项1之装置，其中该液体供给系统包括一含有该液体之液体源。如请求项1或2之装置，其中该液体含有一抗反射顶覆层溶液。如请求项1或2之装置，其中该液体含有一或多种氟烷基磺酸。如请求项1或2之装置，其中该液体供给系统包括自该基板之表面移除该液体之液体移除构件，其中该液体移除构件系调适成在该基板之表面上留下该液体之一膜。如请求项5之装置，其中该膜具有1 μm或更小之一厚度。如请求项5之装置，进一步包括用以控制在移除液体后在该基板上剩余的该液体层之厚度的控制构件。如请求项1或2之装置，其中该液体供给系统包括：一沿该投影系统之最终零件与该基板台之间的该间隙之边界之至少一部分延伸且相对于该投影系统静止的密封部件；及一用以在该密封部件与该基板之表面之间形成一气封之气封部件。如请求项8之装置，其中该气封部件包括：形成于与该基板相对之一部分的面中的一气体入口及一气体出口、用以在压力下将气体供给至该气体入口之构件及用以自该出口提取气体之真空构件。如请求项1之装置，其中该液体供给系统包括：用以供给液体至该投影系统之最终零件与该基板之间的该间隙的至少一出口OUT；及用以自该投影系统之最终零件与该基板之间的该间隙移除液体之至少一入口IN。如请求项9之装置，其中该真空构件或该至少一入口IN系一用以自该基板之表面移除该液体之液体移除构件，该真空构件或该至少一入口IN系调适成在该基板之表面上留下该液体之一膜。如请求项10之装置，其中该真空构件或该至少一入口IN系一用以自该基板之表面移除该液体之液体移除构件，该真空构件或该至少一入口IN系调适成在该基板之表面上留下该液体之一膜。如请求项1或2之装置，其中该水溶液包含至少90重量%的水。如请求项1或2之装置，其中该水溶液包含至少95重量%的水。如请求项1或2之装置，其中该水溶液包含至少99重量%的水。如请求项1或2之装置，其中该PH值系6或更小。如请求项1或2之装置，其中该PH值系5或更小。如请求项1或2之装置，其中该辐射射束具有一为193 nm或248 nm之波长。一种半导体元件制造方法，包括以下步骤：提供一至少部分地覆盖有一层辐射敏感材料之基板；使用一辐射系统来提供一辐射投影射束；使用图案化构件以在该投影射束之横截面中赋予其一图案；将该图案化辐射射束投影至该层辐射敏感材料之一目标区上；且提供液体以填充在该基板与该投影步骤中所使用的一投影系统之一最终零件之间的间隙；其特征为该液体系一具有一pH值为6.5或更小之水溶液。如请求项19项之方法中，进一步包含将在该液体中将一种抗反射顶覆层用作一酸性调节剂之使用步骤。一种半导体元件制造方法，包括以下步骤：添加酸至一液体以形成一酸性溶液，其中该酸性溶液系一具有一pH值为6.5或更小之水溶液；将该酸性液体送至一投影系统及一基板间之间隙；以及将一图案化辐射射束透过该投影系统及该酸性液体投影至该基板之一目标区上。如请求项21项之半导体元件制造方法，其中该图案化射束具有一为193 nm或248 nm之波长。如请求项21或22之半导体元件制造方法，其中该PH值系6或更小。如请求项21或22之半导体元件制造方法，其中该PH值系5或更小。如请求项21或22之半导体元件制造方法，其中该水溶液包含至少99重量%的水。如请求项21之半导体元件制造方法，其中：该酸性液体之PH值系6或更小；该水溶液包含至少99重量%的水；以及该图案化辐射射束具有一为193 nm之波长。 |
