发明名称 电池过温保护电路
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.08.21
申请号 TW096136243 申请日期 2007.09.28
申请人 锦天科技股份有限公司 发明人 王汉哲;赵鑫;欧阳洪升;李晓光;锺新鸿
分类号 H01M2/34 主分类号 H01M2/34
代理机构 代理人
主权项 一种电池过温保护电路,包括:一连接埠用于接入市电适配器为电池充电提供电源、一充电模组用于对电池进行充电,该充电模组包括一充电控制引脚、一充电电流输入引脚、一充电电流输出引脚,该充电电流输入引脚与该连接埠连接,该充电电流输出引脚与电池的正极相连接,该充电控制引脚为低电平时,充电模组停止给电池充电,其改良在于,该电池过温保护电路还包括:一温度检测模组,用于将电池的温度值转换成一温度电压;一基准电压提供电路,用于提供电池处于充电状态以及放电状态下不同的基准电压;一比较模组,包括一正相输入端、一反相输入端以及一输出端,用于将该温度检测模组转换成的温度电压与基准电压进行比较,并输出过温保护信号;一控制模组,用于接收该比较模组输出的过温保护信号,控制充电模组停止给电池充电;及一电池路径开关,位于电池的供电路径通路中,用于接收该比较模组输出过温保护信号,切断电池供电路径。如申请专利范围第1项所述的电池过温保护电路,其中,该电池过温保护电路还包括一报警电路,该报警电路与该比较模组的输出端连接,用于接收该过温保护信号,从而发出报警信号。如申请专利范围第1项所述的电池过温保护电路,其中,该控制模组位于充电模组的充电控制引脚和接地点之间,当该控制端收到过温保护信号时,该控制模组导通,该充电模组的充电控制引脚通过导通的该控制模组短接到地而处于低电平,从而该充电模组停止对电池充电。如申请专利范围第1项所述的电池过温保护电路,其中,所述基准电压提供电路至少包括一第一开关部件、一第二开关部件以及一分压电路,所述分压电路至少包括顺序串联于一电势点与一接地点之间的第一、第二与第三分压电阻。如申请专利范围第4项所述的电池过温保护电路,其中,该第一开关部件为一高电平导通开关,该第二开关部件为一低电平导通开关,在该连接埠接入市电适配器对电池充电时,该第一开关部件导通,控制该第二开关部件导通以旁路所述第一分压电阻,该分压电路提供一第一基准电压至该比较模组,在电池放电状态下,该第一开关部件截止,该第二开关部件也截止,该分压电路为该比较模组提供一第二基准电压。如申请专利范围第5项所述的电池过温保护电路,其中,该温度检测模组包括串联的一负温度系数热敏电阻以及一分压电阻。如申请专利范围第6项所述的电池过温保护电路,其中,该温度检测模组与该比较模组的反相输入端连接,该分压电路与该比较模组的正相输入端连接,该控制模组为一NMOS管或一NPN三极管,该电池路径开关为一PMOS管或一PNP三极管,当温度电压低于基准电压时,该比较模组输出一高电平过温保护信号,充电情况下,该控制模组接收该高电平过温保护信号而导通,从而控制该充电模组停止对电池充电,放电情况下,该电池路径开关接收该高电平过温保护信号而截止,从而电池的供电路径被截断。如申请专利范围第4项所述的电池过温保护电路,其中,该第一开关部件与该第二开关部件均为一高电平导通开关,在该连接埠接入市电适配器对电池充电状态下,所述第一开关部件导通,控制所述第二开关部件截止,该分压电路提供一第一基准电压至该比较模组,在电池放电状态下,所述第一开关部件截止,控制该第二开关部件导通以旁路该第一分压电阻,该分压电路为该比较模组提供一第二基准电压。如申请专利范围第8项所述的电池过温保护电路,其中,该温度检测模组由一正温度系数热敏电阻以及一分压电阻串联组成。如申请专利范围第9项所述的电池过温保护电路,其中,该温度检测模组与该比较模组的反相输入端连接,该分压电路与该比较模组的正相输入端连接,该控制模组为一PMOS管或一PNP三极管,该电池路径开关为一NMOS管或一NPN三极管,当温度电压低于基准电压时,该比较模组输出一低电平过温保护信号,充电情况下,该控制模组接收到该低电平过温保护信号而导通,从而充电模组停止对电池充电,放电情况下,该电池路径开关接收到该高电平过温保护信号而截止,从而电池的供电路径被截断。如申请专利范围第4项所述的电池过温保护电路,其中,该第一开关部件的控制端通过一电阻与连接埠的电压正极端连接,第一导通端直接接地,第二导通端通过一电阻与所述电势点连接,该第二开关部件与第一分压电阻并联在所述电势点到第二分压电阻的通路中,该第二开关部件的控制端通过一电阻与第一开关部件的第二导通端相连,第一导通端直接与该电势点连接,第二导通端与第一、第二分压电阻之间的串联节点连接。如申请专利范围第4项所述的电池过温保护电路,其中,该第一开关部件为一NMOS管或一NPN三极管,第二开关部件为一PMOS管或一PNP三极管。如申请专利范围第4项所述的电池过温保护电路,其中,所述第一开关部件为一NMOS管或一NPN三极管,第二开关部件为一NMOS管或一NPN三极管。
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